Fosfid gália - Gallium phosphide
 GaP ingoty (nečisté) | |
 GaP destička (kvalita elektronického zařízení) | |
 | |
| Jména | |
|---|---|
| Název IUPAC Fosfid gália | |
| Ostatní jména Fosfid galia (III) gallanylidynefosfan | |
| Identifikátory | |
3D model (JSmol ) | |
| ChemSpider | |
| Informační karta ECHA | 100.031.858  |
PubChem CID | |
| Číslo RTECS |
|
| UNII | |
Řídicí panel CompTox (EPA) | |
| |
| |
| Vlastnosti | |
| Mezera | |
| Molární hmotnost | 100,697 g / mol[1] |
| Vzhled | světle oranžová pevná látka |
| Zápach | bez zápachu |
| Hustota | 4,138 g / cm3[1] |
| Bod tání | 1457 ° C (2655 ° F; 1730 K)[1] |
| nerozpustný | |
| Mezera v pásmu | 2,24 eV (nepřímý, 300 K)[2] |
| Elektronová mobilita | 300 cm2/ (V · s) (300 K)[2] |
| -13.8×10−6 cgs[2] | |
| Tepelná vodivost | 0,752 W / (cm · K) (300 K)[1] |
Index lomu (nD) | 2,964 (10 um), 3,209 (775 nm), 3,590 (500 nm), 5,05 (354 nm)[3] |
| Struktura | |
| Směs zinku | |
| T2d-F-43 m | |
A = 544,95 odp[4] | |
| Čtyřboká | |
| Termochemie | |
Std entalpie of formace (ΔFH⦵298) | -88,0 kJ / mol[5] |
| Nebezpečí | |
| NFPA 704 (ohnivý diamant) | |
| Bod vzplanutí | 110 ° C (230 ° F; 383 K) |
| Související sloučeniny | |
jiný anionty | Nitrid galia Gallium arsenid Antimonid galia |
jiný kationty | Fosfid hlinitý Fosfid india |
Pokud není uvedeno jinak, jsou uvedeny údaje o materiálech v nich standardní stav (při 25 ° C [77 ° F], 100 kPa). | |
 ověřit (co je   ?) | |
| Reference Infoboxu | |
Fosfid gália (GaP), a fosfid z galium, je sloučenina polovodičový materiál s nepřímý mezera v pásmu 2,24 eV pokojová teplota. Nečistý polykrystalický materiál má vzhled světle oranžových nebo šedivých kousků. Nedopované monokrystaly jsou oranžové, ale silně dotované destičky vypadají tmavší kvůli absorpci volného nosiče. Je bez zápachu a nerozpustný ve vodě.
GaP má mikrotvrdost 9450 N / mm2, a Debyeova teplota 446 K (173 ° C) a a teplotní roztažnost koeficient 5,3 ×10−6 K.−1 pokojová teplota.[4] Síra, křemík nebo telur se používají jako dopující látky k výrobě polovodiče typu n. Zinek se používá jako dopant pro polovodič typu p.
Fosfid gália má aplikace v optických systémech.[6][7][8] Je to statické dielektrická konstanta je 11,1 při pokojové teplotě.[2] Své index lomu se pohybuje mezi ~ 3,2 a 5,0 ve viditelném rozsahu, který je vyšší než u většiny ostatních polovodičových materiálů.[3]
Diody vyzařující světlo
Fosfid gália se používá při výrobě levné červené, oranžové a zelené barvy diody vyzařující světlo (LED) s nízkým až středním jasem od 60. let. Používá se samostatně nebo společně s fosfid arsenidu galia.
Čisté LED GaP vyzařují zelené světlo o vlnové délce 555 nm. Dusík -dopovaný GaP vyzařuje žlutozelené (565 nm) světlo, oxid zinečnatý dopovaný GaP vyzařuje červeně (700 nm).
Fosfid gália je průhledný pro žluté a červené světlo, proto jsou LED diody GaAsP-on-GaP účinnější než GaAsP-on-GaAs.
Růst krystalů
Při teplotách nad ~ 900 ° C fosfid galia disociuje a fosfor uniká jako plyn. Při růstu krystalů z taveniny 1 500 ° C (u LED destiček) je třeba tomu zabránit tím, že se fosfor přidrží přikrytím roztaveným oxid boritý v tlaku inertního plynu 10–100 atmosfér. Tento proces se nazývá kapalně zapouzdřený růst Czochralski (LEC), což je rozpracování Czochralského proces používá se pro křemíkové destičky.
Reference
- ^ A b C d Haynes, str. 4.63
- ^ A b C d Haynes, str. 12,85
- ^ A b Haynes, str. 12,156
- ^ A b Haynes, str. 12,80
- ^ Haynes, str. 5.20
- ^ Wilson, Dalziel J .; Schneider, Katharina; Hönl, Simon; Anderson, Miles; Baumgartner, Yannick; Czornomaz, Lukas; Kippenberg, Tobias J .; Seidler, Paul (leden 2020). „Integrovaná nelineární fotonika fosfidu gália“. Fotonika přírody. 14 (1): 57–62. arXiv:1808.03554. doi:10.1038 / s41566-019-0537-9. ISSN 1749-4893. S2CID 119357160.
- ^ Cambiasso, Javier; Grinblat, Gustavo; Li, Yi; Rakovich, Aliaksandra; Cortés, Emiliano; Maier, Stefan A. (02.02.2017). „Překlenutí propasti mezi dielektrickou nanofotonikou a viditelným režimem s účinně bezztrátovými anténami na bázi fosfidu gália“. Nano dopisy. 17 (2): 1219–1225. doi:10,1021 / acs.nanolett.6b05026. hdl:10044/1/45460. ISSN 1530-6984. PMID 28094990.
- ^ Rivoire, Kelley; Lin, Ziliang; Hatami, Fariba; Masselink, W. Ted; Vučković, Jelena (07.12.2009). „Druhá generace harmonických ve fotonických krystalických nanočásticích fosfidu gália s ultravysokým výkonem čerpadla s kontinuální vlnou“. Optika Express. 17 (25): 22609–22615. arXiv:0910.4757. doi:10.1364 / OE.17.022609. ISSN 1094-4087. PMID 20052186. S2CID 15879811.
Citované zdroje
- Haynes, William M., ed. (2016). CRC Handbook of Chemistry and Physics (97. vydání). CRC Press. ISBN 9781498754293.
externí odkazy
- Mezera. refractiveindex.info
- Archiv dat Ioffe NSM
- Dodavatel oplatky GaP: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.