GDDR4 SDRAM - GDDR4 SDRAM

Tento článek je o grafické paměti DDR RAM (SGRAM). Pro grafické (dynamické) paměti DDR viz DDR4 SDRAM.

GDDR4 SDRAM, zkratka pro Grafika Double Data Rate 4 Synchronní dynamická paměť s náhodným přístupem, je typ grafická karta Paměť (SGRAM) specifikovaný JEDEC Standard polovodičové paměti.[1][2] Je to konkurenční médium Rambus XDR DRAM. GDDR4 je založen na DDR3 SDRAM technologie a měla nahradit DDR2 -na základě GDDR3, ale nakonec byl nahrazen GDDR5 během roku.

Dějiny

  • 26. října 2005 Samsung oznámila, že vyvinula první paměť GDDR4, 256-Mbit čip běžící na 2,5Gbit / s. Společnost Samsung také odhalila plány na vzorkování a sériovou výrobu GDDR4 SDRAM s hodnocením 2,8 Gbit / s na pin.[3]
  • V roce 2005 Hynix vyvinul první 512-Mbit GDDR4 paměťový čip.[4]
  • 14. února 2006 společnost Samsung oznámila vývoj 32bitové 512 Mbit GDDR4 SDRAM schopné přenášet 3,2 Gbit / s na pin, nebo 12,8 GB / s pro modul.[5]
  • 5. července 2006 společnost Samsung oznámila masovou produkci 32bitové 512Mbitové GDDR4 SDRAM s rychlostí 2,4 Gbit / s na pin nebo 9,6 GB / s pro modul. Ačkoli je navržen tak, aby odpovídal výkonu XDR DRAM v paměti s vysokým počtem pinů, nebyl by schopen odpovídat výkonu XDR v provedeních s nízkým počtem pinů.[6]
  • 9. února 2007 společnost Samsung oznámila masovou produkci 32bitové 512Mbitové paměti GDDR4 SDRAM s rychlostí 2,8 Gbit / s na pin nebo 11,2 GB / s na modul. Tento modul byl pro některé používán AMD karty.[7]
  • 23. února 2007 společnost Samsung oznámila 32bitovou 512 Mbit GDDR4 SDRAM s rychlostí 4 Gb / s na pin nebo 16 GB / s pro modul a očekává, že se paměť objeví na komerčně dostupných grafických kartách do konce roku 2007.[8]

Technologie

GDDR4 SDRAM představil DBI (Data Bus Inversion) a Multi-Preamble, aby snížil zpoždění přenosu dat. Prefetch byla zvýšena ze 4 na 8 bitů. Maximální počet paměťových bank pro GDDR4 byl zvýšen na 8. Aby bylo dosaženo stejné šířky pásma jako GDDR3 SDRAM, běží jádro GDDR4 při polovičním výkonu jádra GDDR3 se stejnou surovou šířkou pásma. Napětí jádra bylo sníženo na 1,5 V.

Data Bus Inversion přidává další aktivní-nízká DBI # pin na adresu / příkazovou sběrnici a každý bajt dat. Pokud je v datovém bajtu více než čtyři 0 bitů, je bajt invertován a signál DBI # přenášen nízko. Tímto způsobem je počet 0 bitů napříč všemi devíti kolíky omezen na čtyři.[9]:9 To snižuje spotřebu energie a odskočit na zem.

Na přední straně signalizace rozšiřuje GDDR4 čipovou I / O vyrovnávací paměť na 8 bitů za dva cykly, což umožňuje větší trvalou šířku pásma během sériového přenosu, ale na úkor výrazně zvýšeného Latence CAS (CL), určeno hlavně dvojnásobným sníženým počtem pinů adresy / příkazu a napůl taktovaných buněk DRAM ve srovnání s GDDR3. Počet adresovacích pinů byl snížen na polovinu počtu jádra GDDR3 a byly použity pro napájení a zem, což také zvyšuje latenci. Další výhodou GDDR4 je energetická účinnost: při rychlosti 2,4 Gbit / s využívá o 45% méně energie ve srovnání s čipy GDDR3 s rychlostí 2,0 Gbit / s.

V datovém listu Samsung GDDR4 SDRAM byl označován jako „GDDR4 SGRAM“ nebo „Synchronous Graphics RAM“ s grafickou dvojitou rychlostí dat verze 4. Základní funkce zápisu bloku však není k dispozici, takže není klasifikována jako SGRAM.

Přijetí

Výrobce grafické paměti Qimonda (dříve Infineon Memory Products division) uvedl, že „přeskočí“ vývoj GDDR4 a přejde přímo na GDDR5.[10]

Viz také

Reference

  1. ^ "Hledání standardů a dokumentů: sgram". www.jedec.org. Citováno 9. září 2013.
  2. ^ "Hledání standardů a dokumentů: gddr4". www.jedec.org. Citováno 9. září 2013.
  3. ^ „Společnost Samsung Electronics vyvíjí první ultrarychlou grafickou DRAM GDDR4 v oboru“. Samsung Semiconductor. Samsung. 26. října 2005. Citováno 8. července 2019.
  4. ^ „History: 2000s“. SK Hynix. Citováno 8. července 2019.
  5. ^ Společnost Samsung vyvíjí ultrarychlou grafickou paměť: Pokročilejší GDDR4 s vyšší hustotou
  6. ^ Samsung odesílá grafickou paměť GDDR4 do sériové výroby
  7. ^ Společnost Samsung uvádí na trh nejrychlejší GDDR-4 SGRAM Archivováno 2007-02-12 na Wayback Machine
  8. ^ Společnost Samsung zrychluje grafickou paměť na 2 000 MHz
  9. ^ Choi, J.S. (2011). Workshop DDR4 Mini (PDF). Fórum paměti serveru 2011. Tato prezentace se týká spíše DDR4 než GDDR4, ale obě používají inverzi datové sběrnice.
  10. ^ Softpedia zpráva

externí odkazy