Silicid niklu - Nickel silicide - Wikipedia
![]() | |
Identifikátory | |
---|---|
3D model (JSmol ) | |
ChemSpider | |
Číslo ES |
|
PubChem CID | |
| |
| |
Vlastnosti | |
Ni2Si | |
Molární hmotnost | 145,473 g / mol[1] |
Hustota | 7,40 g / cm3[1] |
Bod tání | 1255 ° C (2291 ° F; 1528 K)[1] |
Struktura[2] | |
Ortorombický, oP12 | |
Pnma, č. 62 | |
A = 0,502 nm, b = 0,374 nm, C = 0,708 nm | |
Jednotky vzorce (Z) | 4 |
Pokud není uvedeno jinak, jsou uvedeny údaje o materiálech v nich standardní stav (při 25 ° C [77 ° F], 100 kPa). | |
Reference Infoboxu | |
![]() | |
Identifikátory | |
---|---|
3D model (JSmol ) | |
PubChem CID | |
| |
| |
Vlastnosti | |
NiSi | |
Molární hmotnost | 86,778 g / mol |
Struktura[3] | |
Ortorfomický, oP8 | |
Pnma, č. 62 | |
A = 0,519 nm, b = 0,333 nm, C = 0,5628 nm | |
Jednotky vzorce (Z) | 4 |
Pokud není uvedeno jinak, jsou uvedeny údaje o materiálech v nich standardní stav (při 25 ° C [77 ° F], 100 kPa). | |
Reference Infoboxu | |
![]() | |
Identifikátory | |
---|---|
Vlastnosti | |
NiSi2 | |
Molární hmotnost | 114,864 g / mol[1] |
Hustota | 7,83 g / cm3[1] |
Bod tání | 993 ° C (1819 ° F; 1266 K)[1] |
Struktura[4] | |
Krychlový, cF12 | |
Fm3m, č. 225 | |
A = 0,5406 nm | |
Jednotky vzorce (Z) | 4 |
Pokud není uvedeno jinak, jsou uvedeny údaje o materiálech v nich standardní stav (při 25 ° C [77 ° F], 100 kPa). | |
Reference Infoboxu | |
Silicidy niklu zahrnout několik intermetalické sloučeniny nikl a křemík. Silicidy niklu jsou důležité v mikroelektronika jak se tvoří na spojích niklu a křemíku. Navíc mohou být použity tenké vrstvy silicidů niklu, které dodávají povrchové odolnosti slitinám niklu.
Sloučeniny
Mezi silicidy niklu patří Ni3Si, Ni31Si12, Ni2Si, Ni3Si2, NiSi a NiSi2.[5] Ni31Si12, Ni2Si a NiSi mít shodné body tání; ostatní tvoří přes a peritektický proměna.[Citace je zapotřebí ]Silicidy mohou být vyrobeny fúzí nebo reakcí v pevném stavu mezi prvky, difúzí na spojnici těchto dvou prvků a dalšími metodami, včetně míchání iontovým paprskem.[Citace je zapotřebí ]
Vlastnosti
Silicidy niklu jsou obecně chemicky a tepelně stabilní.[Citace je zapotřebí ] Mají nízký elektrický odpor; s NiSi 10,5–18 μΩ · cm, Ni2Si 24–30 μΩ · cm, NiSi2 34–50 μΩ · cm; silicidy bohaté na nikl mají vyšší měrný odpor stoupající na 90–150 μΩ · cm v Ni31Si12.[Citace je zapotřebí ]
Použití
Mikroelektronika
Silicidy niklu jsou důležité v mikroelektronických zařízeních - specifické silicidy jsou dobré vodiče, přičemž NiSi má vodivost blížící se vodivosti elementárního niklu.[Citace je zapotřebí ]S karbid křemíku protože polovodičový nikl reaguje při zvýšených teplotách za vzniku silicidů niklu a uhlík.[Citace je zapotřebí ]
jiný
Silicidy niklu mají potenciál jako povlaky na bázi niklu superslitiny a nerezová ocel, kvůli jejich korozi, oxidaci a odolnosti proti opotřebení.[Citace je zapotřebí ]NiSi byl vyšetřován jako hydrogenace katalyzátor pro nenasycené uhlovodíky.[6] Jako alternativa byly navrženy nanočástice na bázi niklu a silicidu podporované na podpoře oxidu křemičitého katalyzátor na široce používaný pyroforický Raney nikl. [7]
Viz také
- J. Marvin Herndon, který prosazoval teorii, že zemské jádro je silicid niklu
- Titan disilicid, také se používá v mikroelektronice
- Vražda, samovyrovnávací silicidy
Reference
- ^ A b C d E F Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92. vydání). CRC Press. str. 4,77. ISBN 978-1439855119.
- ^ El Boragy M., Rajasekharan T.P., Schubert K. (1982). Z. Metallkd., 73, 193–197
- ^ Wopersnow W., Schubert K. (1976) Z. Metallkd., 67, 807–810
- ^ Beck, U .; Neumann, H.-G .; Becherer, G. (1973). „Phasenbildung in Ni / Si-Schichten“. Kristall und Technik. 8 (10): 1125–1129. doi:10,1002 / crat.19730081005.
- ^ Dahal, Ashutosh; Gunasekera, Jagath; Harringer, Leland; Singh, Deepak K .; Singh, David J. (červenec 2016), "Silicidy niklu: Experimenty a teorie pro NiSi a výpočty prvních principů pro jiné fáze", Journal of Alloys and Compounds, 672: 110–116, arXiv:1602.05840, doi:10.1016 / j.jallcom.2016.02.02.133
- ^ Itahara, Hiroši; Simanullang, Wiyanti F .; Takahashi, Naoko; Kosaka, Satoru; Furukawa, Shinya (2019), „Na-Melt Syntéza jemného Ni3Si prášky jako hydrogenační katalyzátor ", Anorganická chemie, 58 (9): 5406–5409, doi:10.1021 / acs.inorgchem.9b00521, PMID 30983337
- ^ P. Ryabchuk, G. Agostini, M.-M. Pohl, H. Lund, A. Agapova, H. Junge, K. Junge a M. Beller, Sci. Adv., 2018, 4, eaat0761 https://doi.org/10.1126/sciadv.aat0761
Další čtení
- Lavoie, C .; d’Heurle, F.M .; Detavernier, C .; Cabral, C. (listopad 2003), „K implementaci procesu silicidu niklu pro technologie CMOS“, Mikroelektronické inženýrství, 70 (2–4): 144–157, doi:10.1016 / S0167-9317 (03) 00380-0