Vnitřní a vnější vlastnosti - Intrinsic and extrinsic properties

V oblasti vědy a techniky, an vnitřní vlastnost je vlastnost zadaného subjektu, která existuje sama nebo v předmětu. An vnější vlastnost není podstatná nebo inherentní subjektu, který je charakterizován. Například, Hmotnost je vlastní vlastností každého fyzický objekt, zatímco hmotnost je vnější vlastnost, která závisí na síle gravitačního pole, ve kterém je objekt umístěn.

Aplikace ve vědě a strojírenství

v věda o materiálech, vnitřní vlastnost je nezávislá na tom, kolik materiálu je přítomno, a je nezávislá na formě materiálu, např. jeden velký kus nebo soubor malých částic. Vnitřní vlastnosti jsou závislé hlavně na základním chemickém složení a struktura materiálu.^[1] Vnější vlastnosti se rozlišují podle toho, zda jsou závislé na přítomnosti chemických látek, kterým se lze vyhnout, nebo strukturálních vad.^[2]

v biologie, vnitřní účinky pocházejí zevnitř organismus nebo buňka, jako je autoimunitní nemoc nebo vnitřní imunita.

v elektronika a optika, vnitřní vlastnosti zařízení (nebo systémů zařízení) jsou obecně ty, které jsou prosté vlivu různých typů nepodstatných vad.^[3] Takové vady mohou vzniknout v důsledku konstrukčních nedokonalostí, výrobních chyb nebo provozních extrémů a mohou způsobit výrazné a často nežádoucí vnější vlastnosti. Identifikace, optimalizace a řízení jak vnitřních, tak vnějších vlastností patří mezi technické úkoly nezbytné k dosažení vysokého výkonu a spolehlivost moderních elektrických a optických systémů.^[4]

Viz také

Intenzivní a rozsáhlé vlastnosti
Vnitřní a vnější typologie (teologie)
Vnitřní faktor (biologie)
Vnitřní polovodič (věda o materiálech)
Vnitřní funkce (programování)
Vnitřní rovnice (geometrie)
Motivace
Sluneční skvrny (ekonomika), také známý jako vnější náhodné proměnné
Koagulace s vnitřními a vnějšími cestami srážení krve

Reference

^ Potravinářská a obalová technika (IFNHH, Massey University, NZ)
^ Mishra, Umesh a Singh, Jasprit, Kapitola 1: Strukturální vlastnosti polovodičů. In: Semiconductor Device Physics and Design, 2008, strany 1-27, doi:10.1007/978-1-4020-6481-4, ISBN 978-1-4020-6481-4
^ Sune, Jordi a Wu, Ernest Y., Kapitola 16: Vady spojené s dielektrickým rozpadem v dielektrikách brány založených na SiO2. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices (Edited by Fleetwood, Daniel and Schrimpf, Ronald), 2008, strany 465-496, doi:10.1201/9781420043778, ISBN 9781420043778
^ Ueda, Osamu a Pearton, redaktoři Stephena J., Příručka materiálů a spolehlivosti pro polovodičová optická a elektronová zařízení, 2013, doi:10.1007/978-1-4614-4337-7, ISBN 978-1-4614-4337-7

[1] Potravinářská a obalová technika (IFNHH, Massey University, NZ)

[2] Mishra, Umesh a Singh, Jasprit, Kapitola 1: Strukturální vlastnosti polovodičů. In: Semiconductor Device Physics and Design, 2008, strany 1-27, doi:10.1007/978-1-4020-6481-4, ISBN 978-1-4020-6481-4

[3] Sune, Jordi a Wu, Ernest Y., Kapitola 16: Vady spojené s dielektrickým rozpadem v dielektrikách brány založených na SiO2. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices (Edited by Fleetwood, Daniel and Schrimpf, Ronald), 2008, strany 465-496, doi:10.1201/9781420043778, ISBN 9781420043778

[4] Ueda, Osamu a Pearton, redaktoři Stephena J., Příručka materiálů a spolehlivosti pro polovodičová optická a elektronová zařízení, 2013, doi:10.1007/978-1-4614-4337-7, ISBN 978-1-4614-4337-7

[1]

[2]

[3]

[4]