VMOS - VMOS

Tento článek je o typu tranzistoru. Informace o operačním systému počítače RCA viz Operační systém virtuální paměti.
Informace o aplikaci pro virtuální počítač pro Android najdete v části VMOS (software).
Struktura VMOS má V-drážku v oblasti brány

A VMOS (/ˈprotiiːmɒs/) tranzistor je typ MOSFET (tranzistor s efektem pole-oxid-polovodičové pole). VMOS se také používá k popisu tvaru V-drážky svisle vyříznutého do podkladového materiálu. VMOS je zkratka pro „vertikální polovodič oxidu kovu“ nebo „V-drážka MOS“.[1]

"V" tvar MOSFET je brána umožňuje zařízení doručit vyšší částku proud z zdroj do vypustit zařízení. Tvar oblast vyčerpání vytváří širší kanál, který umožňuje protékání více proudu.

Během provozu v režimu blokování dochází k nejvyššímu elektrickému poli na N+/ str+ křižovatka. Přítomnost ostrého rohu ve spodní části drážky zvyšuje elektrické pole na okraji kanálu v oblasti vyčerpání, čímž se snižuje průrazné napětí zařízení.[2] Toto elektrické pole spouští elektrony do hradlového oxidu a následně zachycené elektrony posouvají prahové napětí MOSFET. Z tohoto důvodu se architektura V-groove již v komerčních zařízeních nepoužívá.

Zařízení bylo použito napájecí zařízení až do vhodnějších geometrií, jako je UMOS (nebo Trench-Gate MOS) byly zavedeny za účelem snížení maxima elektrické pole v horní části tvaru V, což vede k vyšším maximálním napětím než v případě VMOS.

Dějiny

První MOSFET (bez V-drážky) vynalezl Mohamed Atalla a Dawon Kahng na Bell Labs v roce 1959.[3] Průkopníkem byla konstrukce V-drážky Jun-ichi Nishizawa v roce 1969,[4] původně pro statický indukční tranzistor (SIT), typ JFET (křižovatka tranzistor s efektem pole ).[5]

VMOS vynalezl Hitachi v roce 1969,[6] když představili první vertikálu výkonový MOSFET v Japonsku.[7] T. J. Rodgers, když byl studentem Stanfordská Univerzita, podal a Americký patent pro VMOS v roce 1973.[8] Siliconix komerčně představil VMOS v roce 1975.[6] VMOS se později vyvinul v tzv VDMOS (vertikální DMOS).[9]

V roce 1978 Americké mikrosystémy (AMI) vydala S2811.[10][11] Bylo to první integrovaný obvod čip speciálně navržen jako a procesor digitálního signálu (DSP) a byl vyroben pomocí technologie VMOS, technologie, která dříve nebyla masově vyráběna.[11]

Reference

  1. ^ Holmes, F.E .; Salama, C.A.T. (1974). „VMOS - nová technologie integrovaných obvodů MOS“. Elektronika v pevné fázi. 17 (8): 791–797. Bibcode:1974SSEle..17..791H. doi:10.1016/0038-1101(74)90026-4.
  2. ^ Baliga, B. Jayant (2008), „Power MOSFETs“, Základy výkonových polovodičových zařízení, Springer USA, str. 276–503, doi:10.1007/978-0-387-47314-7_6, ISBN  9780387473130
  3. ^ „Přehodnotit hustotu energie s GaN“. Elektronický design. 21. dubna 2017. Citováno 23. července 2019.
  4. ^ Duncan, Ben (1996). Vysoce výkonné zvukové výkonové zesilovače. Elsevier. str.178 & 406. ISBN  9780080508047.
  5. ^ US patent 4 295 267
  6. ^ A b „Pokroky v diskrétních polovodičích pochodují dál“. Technologie výkonové elektroniky. Informa: 52–6. Září 2005. Archivováno (PDF) z původního dne 22. března 2006. Citováno 31. července 2019.
  7. ^ Oxner, E. S. (1988). Technologie a aplikace plodu. CRC Press. str. 18. ISBN  9780824780500.
  8. ^ US patent 3924265
  9. ^ Duncan, Ben (1996). Vysoce výkonné zvukové výkonové zesilovače. Elsevier. str.177-8, 406. ISBN  9780080508047.
  10. ^ „1979: Představen jednočipový procesor digitálního signálu“. Křemíkový motor. Muzeum počítačové historie. Citováno 14. října 2019.
  11. ^ A b Taranovich, Steve (27. srpna 2012). „30 let DSP: od dětské hračky po 4G a dále“. EDN. Citováno 14. října 2019.