Kvantová heterostruktura - Quantum heterostructure

Pravděpodobnosti elektronů ve dvou nejnižších kvantových stavech kvantové jamky 160Ǻ GaAs v heterostruktuře GaAs-GaAlAs, počítáno z funkce obálek.^[1]

Kvantová heterostruktura je heterostruktura v substrátu (obvykle a polovodičový materiál ), kde velikost omezuje pohyby přepravci poplatků nutit je do kvantového uvěznění. To vede k vytvoření souboru diskrétních energetických úrovní, na kterých mohou existovat nosiče. Kvantové heterostruktury jsou ostřejší hustota stavů než struktury běžnějších velikostí.

Kvantové heterostruktury jsou důležité pro výrobu krátkovlnných délek diody vyzařující světlo a diodové lasery a pro další optoelektronický aplikace, např. vysoká účinnost fotovoltaické články.

Příklady kvantových heterostruktur omezujících nosiče v kvazi-dvou, -one a -zero dimenzích jsou:

Reference

^ G Bastard; JA Brum; R Ferreira (1991). "Obrázek 10 palců Elektronické stavy v polovodičových heterostrukturách ". V Henry Ehrenreich, David Turnbull (ed.). Fyzika pevných látek: Polovodičové heterostruktury a nanostruktury. str. 259. ISBN 0126077444.

Viz také

Tento kvantová mechanika související článek je a pahýl. Wikipedii můžete pomoci pomocí rozšiřovat to.

Tento článek týkající se elektroniky je pahýl. Wikipedii můžete pomoci pomocí rozšiřovat to.

[Bastard-1] G Bastard; JA Brum; R Ferreira (1991). "Obrázek 10 palců Elektronické stavy v polovodičových heterostrukturách ". V Henry Ehrenreich, David Turnbull (ed.). Fyzika pevných látek: Polovodičové heterostruktury a nanostruktury. str. 259. ISBN 0126077444.

[1]