Lanthanum gallium silikát - Lanthanum gallium silicate
 | |
| Jména | |
|---|---|
| Ostatní jména LGS nebo langasite | |
| Identifikátory | |
| Vlastnosti | |
| Ga5Los Angeles3Ó14Si | |
| Molární hmotnost | 1017.402 g · mol−1 |
| Vzhled | bezbarvá pevná látka |
| Hustota | 5,75 g / cm3 |
| Bod tání | 1470 ° C (2680 ° F; 1740 K) |
| nerozpustný | |
Pokud není uvedeno jinak, jsou uvedeny údaje o materiálech v nich standardní stav (při 25 ° C [77 ° F], 100 kPa). | |
| Reference Infoboxu | |
Lanthanum gallium silikát (v tomto článku označována jako LGS), také známá jako langasit, má chemický vzorec ve formě A3před naším letopočtem3D2Ó14, kde A, B, C a D uveďte konkrétní kation stránky. A je dekaedrické místo (Thomsonova kostka) koordinované 8 atomy kyslíku. B je oktaedrické místo koordinované 6 atomy kyslíku a C a D jsou čtyřboká místa koordinovaná 4 atomy kyslíku. V tomto materiálu lanthan obsadil A- stránky, galium the B, C a polovina D- stránky a křemík druhá polovina D- stránky.[1]
LGS je piezoelektrický materiál,[2] bez fázových přechodů až do bodu tání 1470 ° C. Monokrystalický LGS lze pěstovat prostřednictvím Czochralského metoda, ve kterém je zahájena krystalizace na rotujícím očkovacím krystalu spuštěném do taveniny a následném vytažení z taveniny.[3] Růstová atmosféra je obvykle argon nebo dusík až 5% kyslík. Použití kyslík v růstovém prostředí údajně potlačuje galium ztráta z taveniny; však příliš vysoká kyslík úroveň může vést k Platina (materiál kelímku použitý pro taveninu) rozpuštění v tavenině. Růst LGS je primárně ve směru z. V současné době komerčně vyráběné 3palcové (76 mm) boule langasitu mají růst 1,5 až 5 mm / h. Kvalita krystalů má tendenci zlepšovat se snížením rychlosti růstu.
Viz také
- Keramický
- lanthanum gallium tantalum oxide, langatit (CAS RN 83381-05-9) La6Ga11TaO28 (tj. La3Ga5.5Ta00.5Ó14)
Reference
- ^ Belokoneva, E.L .; Stefanovich, S.Yu .; Pisarevskii, Yu.V .; Mosunov, A.V. "Rafinované struktury La3Ga5SiO14 a Pb3Ga2Ge4Ó14 a krystalické chemické zákonitosti ve struktuře a vlastnostech sloučenin rodiny Langasite (přeložený název), Zhurnal Neorganicheskoi Khimii (2000) 45, (11), 1786-p1796.
- ^ Leštění a leptání langasitu a křemene, Laffey SH a Vig JR, 1994 IEEE International Frequency Control Symposium doi:10.1109 / FREQ.1994.398330
- ^ Bohm, J .; Heimann, R.B .; Hengst, M .; Roewer, R .; Schindler, J. (1999). „Czochralského růst a charakterizace piezoelektrických monokrystalů se strukturou langasitu: La3Ga5SiO14 (LGS), La3Ga5.5Nb0.5O14 (LGN) a La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT)“. Journal of Crystal Growth. 204 (1–2): 128–136. doi:10.1016 / S0022-0248 (99) 00186-4.