Germanium-neobsazené centrum v diamantu - Germanium-vacancy center in diamond

Model semi-divacancy centra Ge-V, který je také běžný pro jiné velké nečistoty v diamantu.

Luminiscenční spektra Ge-V měřená při různých teplotách.^[1]

Prostorová mapa center Ge-V v diamantu vytvořeném iontovou implantací.^[1]

The germanium-neobsazené centrum (Ge-V) je opticky aktivní přeběhnout v diamant, které lze vytvořit dopingem germanium do diamantu během jeho růstu nebo implantací germania ionty do diamantu po jeho růstu. Jeho vlastnosti jsou podobné vlastnostem křemíkové neobsazené centrum v diamantu (SiV). Ge-V se může chovat jako jednofotonový zdroj a ukazuje potenciál pro kvantové a nanovědy díky své úzkosti nulová telefonní linka (ZPL) a minimální fononické postranní pásmo (ve srovnání s centrum pro uvolnění dusíku (NV).^[1]

Vlastnosti

Předpokládá se, že Ge-V sestává z jednoho atomu germania umístěného mezi dvěma sousedními mřížovými volnými místy a má stejný D_3d bodová skupina symetrie jako SiV. Má jednu ZPL při 602 nm (2,059 eV) při teplotě místnosti, která se při nízkých teplotách (10 K) rozdělí na dvě složky oddělené 0,67 meV. Ge-V má životnost excitovaného stavu 1,4–5,5 ns.^[1]

Formace

Ge-V lze vytvořit během růstu diamantu nebo pomocí iontová implantace a následující žíhání při 800 ° C. První způsob má za následek nižší deformaci mřížky, jak vyplývá z rozpětí v poloze a šířce Ge-V ZPL.^[1][2]

Reference