Theda Daniels-Race - Theda Daniels-Race

Theda M. Daniels-Race je americký inženýr a významný profesor Michael B. Voorhies v divizi Elektrické a počítačové inženýrství na Louisianská státní univerzita. Její výzkum je v nanoelektronika, se specializací na růst a charakterizaci nanomateriály a hybridní elektronická zařízení založená na sloučenině polovodiče.

raný život a vzdělávání

Daniels-Race se začala velmi zajímat o vědu již v mladém věku a po rozhovoru s rodiči, než začala s mateřskou školou o tom, jak dlouho lidé tráví ve škole, se v pěti letech rozhodla, že jednoho dne bude usilovat o doktorát, aby se stala vědkyní .^[1][2]

Daniels-Race byla držitelkou stipendia National Achievement Scholarship a získala bakalářský titul v oboru elektrotechnika z Rice University v roce 1983.^[3] Absolvovala MSc ve stejné disciplíně od Stanfordská Univerzita v roce 1985, financováno Společenstvím pro postgraduální inženýrství v menšinách.^[4]

Byla jednou z deseti studentů vybraných pro celonárodní ocenění AT&T Spolupracující výzkumný stipendijní program pro doktorát v elektrotechnika na Cornell University.^[4][5] Práce Daniels-Race byla nazvána „Spektrometrická studie vysokoenergetických elektronů pomocí odpalovačů planární dopované bariéry (PBD)"a její výzkum se zaměřil na vývoj řady spektrometry založené na PBD odpalovacích zařízeních pozorovat kvantově mechanické jevy.^[6] Ve své práci používala epitaxe molekulárního paprsku techniky růstu tranzistor s efektem vertikálního pole spektrometry a demonstroval první pozorování horké elektrony a balistický transport účinky v těchto systémech.^[7] Získala titul Ph.D. v roce 1990 a byl 19. Afro-Američan žena získat doktorát z fyziky, astronomie nebo příbuzného oboru ve Spojených státech.^[8]

Výzkum a kariéra

Daniels-Race se připojil k Department of Elektrické a počítačové inženýrství fakulta na Duke University v roce 1989, kde založila univerzitu jako první epitaxe molekulárního paprsku laboratoř a založili svůj experimentální výzkumný program na Polovodič III-IV materiály s federálním financováním z Národní vědecká nadace.^{[9] [10]} Byla hostující vědeckou pracovnicí ve Výzkumném středisku mikroelektroniky v University Texas Austin na jaře 1995.^[11] V letech 2001–2003 získala finanční prostředky od Americké ministerstvo energetiky zkoumat účinky variací v růst epitaxe molekulárního paprsku tahem napjatých dvourozměrných struktur.^[12] Její práce v Duke byla také zaměřena na studium kvantově mechanických jevů, jako je elektron -telefon interakce a vývoj mikroelektronických zařízení založených na GaAs, AlGaAs a InAlAs kvantové jamky.^{[13][14] [15]}

V roce 2003 nastoupila Louisianská státní univerzita jako docent v elektrické a počítačové inženýrství kde je nyní významným profesorem Michaelem B. Voorhiesem.^[16][17] Na LSU zahájila novou řadu výzkumných studií vakuová depozice růstové techniky pro vývoj hybridních elektronických materiálů založených na složené polovodičové elektronice.^{[18][19] [20]} Její skupině bylo uděleno financování z rady vladařů LSU prostřednictvím Národní vědecká nadace Propojení s průmyslem, výzkumnými centry a programem National Laboratories (LINK) za účelem práce v mikroelektronika ve spolupráci s University of Texas v Austinu.^[3] Její výzkum se také zaměřuje na růst materiálu a optoelektronický charakterizace dalších nízkodimenzionálních nanostruktur jako např uhlíkové nanotrubice a dichalkogenidy přechodných kovů.^[21][22]

Během své kariéry Daniels-Race úzce spolupracovala s průmyslovými partnery, jako jsou Union Carbide, Exxon Research and Engineering Company, General Electric, a AT&T Bell Laboratories.^[23] Je také členkou poradního výboru Katedry fyziky a techniky na Tulane University,^[24] obhájce žen v menšinách v roce 2006 ZASTAVIT, a aktivní člen několika odborných společností, jako je Americká fyzická společnost, Společnost pro výzkum materiálů a Národní společnost černých fyziků.^{[23][25] [26][27]}

Daniels-Race vydal pro knihu kapitolu knihy o výrobě a designu nízkodimenzionálních zařízení a jejich aplikacích Nanolithography: The Art of Fabricating Nanoelectronic and Nanophotonic Devices and Systems.^[28]

Reference