Mělký dárce - Shallow donor - Wikipedia

Tento článek má několik problémů. Prosím pomozte vylepši to nebo diskutovat o těchto problémech na internetu diskusní stránka. (Zjistěte, jak a kdy tyto zprávy ze šablony odebrat) tento článek potřebuje další citace pro ověření. Prosím pomozte vylepšit tento článek podle přidávání citací ke spolehlivým zdrojům. Zdroj bez zdroje může být napaden a odstraněn. Najít zdroje: „Mělký dárce“  – zprávy  · noviny  · knihy  · učenec  · JSTOR (Prosince 2009) (Zjistěte, jak a kdy odstranit tuto zprávu šablony) tento článek poskytuje nedostatečný kontext pro ty, kteří danému tématu nejsou obeznámeni. Prosím pomozte vylepšit článek podle poskytuje čtenáři více kontextu. (Říjen 2009) (Zjistěte, jak a kdy odstranit tuto zprávu šablony) tento článek vyžaduje pozornost odborníka na fyziku. Přidejte prosím důvod nebo a mluvit parametr k této šabloně pro vysvětlení problému s článkem. Fyzika WikiProject může pomoci s náborem odborníka. (Listopadu 2008) (Zjistěte, jak a kdy odstranit tuto zprávu šablony)

A mělký dárce se týká donoru, který přispívá elektronem, který vykazuje energetické stavy ekvivalentní atomovému vodíku se změněnou očekávanou hmotností, tj. coulombův potenciál iontových jader s dlouhým dosahem určuje energetické hladiny. Elektron v podstatě obíhá donorový iont v polovodičovém materiálu přibližně v poloměru Bohra. To je na rozdíl od dárců na hluboké úrovni, kde potenciál krátkého dosahu určuje energetické úrovně, nikoli efektivní hmotnostní stavy. To přispívá k dalším energetickým stavům, které lze použít k vedení.

Přehled

Zavádění nečistot do a polovodič které se používají k uvolnění volných dalších elektronů v jeho vodivém pásmu doping s dárci. V skupina IV polovodičové křemík to jsou nejčastěji prvky skupiny V. jako arsen nebo antimon. Tyto nečistoty však zavádějí nové energetické hladiny v mezera v pásmu ovlivňující struktura pásma což může do značné míry změnit elektronické vlastnosti polovodiče.

Mít mělkou hladinu dárce znamená, že tyto další energetické úrovně nejsou větší než ${ displaystyle 3k_ {b} T}$ (0,075 eV při pokojové teplotě) směrem od spodní části vodivé pásmo okraj. To nám umožňuje zacházet s původním polovodičem jako s nedotčenými jeho elektronickými vlastnostmi, přičemž atomy nečistoty pouze zvyšují elektron koncentrace. Limit koncentrace dárce, aby bylo možné zacházet s mělkými dárci, je přibližně 10¹⁹ cm⁻³.

Energetické úrovně způsobené nečistotami hlouběji v pásmu se nazývají hluboké úrovně.

Reference

• Marius Grundmann (2006). Fyzika polovodičů. Springer Berlin Heidelberg New York: Springer. ISBN  978-3-540-25370-9.

Tento fyzika kondenzovaných látek související článek je a pahýl. Wikipedii můžete pomoci pomocí rozšiřovat to.