Lisa M. Porter - Lisa M. Porter

Lisa Marie Spellman Porter
Lisa M. Porter, březen 2020
Alma mater	Státní univerzita v Severní Karolíně (PhD) Cornell University (BSc)
Vědecká kariéra
Instituce	Univerzita Carnegie Mellon
Teze	Chemie, mikrostruktura a elektrické vlastnosti a jejich vztahy k výškám Schottkyho bariéry na rozhraní mezi kovy a monokrystalickým alfa (6H) karbidem křemíku  (1993)

Lisa Marie Spellman Porter je americký vědec v oblasti materiálů, který je profesorem vědy o materiálech na Univerzita Carnegie Mellon. Pracuje na nových způsobech zpracování a charakterizace elektronických materiálů. Dříve působila jako prezidentka Americká vakuová společnost.

raný život a vzdělávání

Porter studoval vědu o materiálech na Cornell University.^[1] Bakalářský titul získala v roce 1989, poté se přestěhovala do Státní univerzita v Severní Karolíně za její postgraduální studium.^[1] Doktorát dokončila dne karbid křemíku v roce 1993.^[2] Po získání doktorátu Porter nastoupila na státní univerzitu v Severní Karolíně jako postgraduální výzkumný pracovník.

Výzkum a kariéra

Krystal oxidu gália (III)

Porter byl jmenován na fakultu v Univerzita Carnegie Mellon v r. 1997. Její raný výzkum uvažoval o kovových kontaktech pro vysoce výkonná elektronická zařízení a rozhraní oxid-křemík.^[3] Od té doby zkoumala několik materiálů, včetně transparentní vodivé filmy a elektrody stejně jako organické polovodiče.^[3][4][5] Její výzkum se zaměřuje na polovodič s velkou šířkou pásma oxid gália.^[3][6] Malé množství oxidu gália vydrží vysoká elektrická pole a lze je použít pro vysoce energeticky náročné procesy.^[6] Porter studoval řadu polymorfů oxidu gália], včetně α, β a ε-Ga₂Ó_3.^[6] Zejména β-Ga₂Ó₃ hromadné monokrystaly lze vyrábět za použití levných metod růstu taveniny a lze je vyrábět ve velkých destičkách.^[6]

Porter vytvořil spin-out společnost SenSevere, která vytváří chemické senzory založené na polovodičích.^[3][7] Senzory lze použít k detekci vodíku v drsném prostředí, včetně jaderných reaktorů a článků na výrobu chloru.^[8][7] Když tyto články produkují chlór, produkují značné koncentrace vodíku, a pokud se rychle neodstraní ze systému, může to vést k tvorbě chlorovodík.^[8] V jaderných reaktorech může hromadění vodíku způsobit výbuch při interakci vodíku s kyslíkem a vodou.^[8]

Ocenění a vyznamenání

• 1999 Cena National Science Foundation CAREER^[9]
• 2006 Nadace pro ženy a dívky Ocenění Women Driving the Material World^[10]
• 2012 Univerzita Carnegie Mellon Philbrookova cena za strojírenství^{[Citace je zapotřebí ]}
• 2018 Státní univerzita v Severní Karolíně síň slávy^[3]
• 2018 prezident Americká vakuová společnost^[11]

Vybrané publikace

• Porter, Lisa M .; Davis, Robert F. (listopad 1995). "Kritická kontrola ohmických a usměrňovacích kontaktů pro karbid křemíku". Věda o materiálech a inženýrství: B. 34 (2–3): 83–105. doi:10.1016/0921-5107(95)01276-1. ISSN  0921-5107.
• Crofton, John; Mohney, Suzanne (2000-08-31). "Ohmické kontakty na SiC typu P". Fort Belvoir, VA. doi:10.21236 / ada381452. Citovat deník vyžaduje | deník = (Pomoc)
• Chang, K. C .; Nuhfer, N. T .; Porter, L. M .; Wahab, Q. (2000-10-02). „Vysoké koncentrace uhlíku na rozhraní oxid křemičitý – karbid křemíku identifikované spektroskopií ztrát elektronové energie“. Aplikovaná fyzikální písmena. 77 (14): 2186–2188. Bibcode:2000ApPhL..77.2186C. doi:10.1063/1.1314293. ISSN  0003-6951.

Reference