LSK489 - LSK489


The LSK489 je monolitický N-kanál JFET navrhl a postavil Lineární integrované systémy, Inc.LIS Inc., společnost Fremont, CA. Část byla představena v roce 2013[1][2] a byla společností EDN Tech pojmenována jako jedna z inovací elektronického průmyslu „2013 EDN Hot 100“ pro tento rok.[3] V přehledu produktů zveřejněném dříve v tomto roce společnost EDN poznamenala: Tento JFET je součástí rodiny duálního JFET s velmi nízkým šumem.[4]

Tento JFET je součástí rodiny duálních JFET s extrémně nízkou hlučností, které jsou speciálně navrženy tak, aby uživatelům poskytovaly lepší výkon, širší šířku pásma a levnější řešení pro získání těsnějšího přizpůsobení IDSS (proud nasycení zdroje) a lepšího tepelného sledování než porovnávání jednotlivých JFET . Společnost má také vlastní podnik, což je známkou toho, že si může udržovat dobrou kontrolu procesu nad výrobními šaržemi vyladěním procesu podle potřeby v reálném čase, stejně jako monitorováním výroby, aby se zvýšila pro potřeby zákazníků s vysokou poptávkou.[Citace je zapotřebí ]

Vlastnosti dílu

LSK489 je N-kanálový monolitický duální JFET s šumem 1,8 nV na druhou odmocninu Hz při 1kHz a nízkou kapacitou (Ciss = 4pF).[5] Část není odstupňována s ohledem na IDSS, s typickou hodnotou 5 mA, minimem 2,5 mA a maximem 15 mA. Mezi vlastnosti patří:

  • Těsná shoda rozdílového napětí vs. proud;
  • Vylepšená přesnost času ustálení rychlosti operačního zesilovače;
  • Minimum Input Error trimming error voltage;
  • Nižší intermodulační zkreslení.

Část dosahuje velmi nízkého šumu vzhledem k jeho transkonduktance, což se připisuje schopnosti výrobce eliminovat téměř veškerý generačně-rekombinační šum, který se obvykle vyskytuje v JFET.[6] Díl je k dispozici v balíčcích TO-71, SOIC-A a SOT-23, stejně jako holá matrice.

Související části

LSK489 (N-Channel Monolithic Dual JFET) a LSJ689[7] (P-Channel Monolithic Dual JEFT), vyráběný také společností Linear Integrated Systems, jsou komplementární páry. Tyto dvě části jsou jediným doplňkovým duálním párem JFET, který se v současné době vyrábí.[8][9] LSK489 je blízký elektrickému výkonu, s výjimkou vynikajících charakteristik šumu, u řady LS843 a řady Siliconix U401-403. Má mírně vyšší šum než LSK389 (1,8 nV vs. 0,9 nV), ale nižší CISS (4pF vs. 20pF).[10][11]

Aplikace

LSK489 se používá v celé řadě aplikací front-endového signálního řetězce, včetně audio předzesilovačů,[12] předzesilovače piezoelektrických prvků a předzesilovače fotodiody.[13] Díl se také používá v high-end senzorových systémech od hydrofonů po přední část Velký přehledný dalekohled (LSST) vyvíjen SLAC National Accelerator Laboratory.[14]

Reference

  1. ^ „Lineární systémy nabízejí nové duální JFET“. Audioxpress.com. 2013-10-14. Citováno 2017-05-23.
  2. ^ „Nuts Volts Magazine - Nuts & Volts Magazine - For The Electronics Hobbyist“. Nutsvolts.com. Citováno 2017-05-23.
  3. ^ „Žhavých 100 produktů roku 2013: Komponenty a snímače“. EDN. 19. 11. 2013. Citováno 2017-05-23.
  4. ^ „Duální, nízkošumový JFET má nízkou kapacitu a vysokou vstupní impedanci“. EDN. 08.08.2013. Citováno 2017-05-23.
  5. ^ "LSK489: Nízkošumový nízko kapacitní monolitický duální N-kanálový zesilovač JFET" (PDF). Linearsystems.com. Citováno 2017-05-24.
  6. ^ "Poznámka k aplikaci LSK489" (PDF). Linearsystems.com. Citováno 2017-05-24.
  7. ^ Steve Taranovich (2016-08-18). „Monolitické JFET jsou živé a zdravé | EDN“. Eedesignnewseurope.com. Citováno 2017-05-23.
  8. ^ „Monolitické JFET jsou živé a zdravé“ (PDF). Edn.com. Citováno 2017-05-24.
  9. ^ "LSJ689 P-Channel JFET". NAMM.org. Citováno 2017-05-23.
  10. ^ „LSK389: Ultra nízkošumový monolitický duální N-kanálový zesilovač JFET“ (PDF). Linearsystems.com. Citováno 2017-05-24.
  11. ^ „Tim McCune - pásové mikrofony AEA a JFET společnosti Linear Systems“. Planet Analog. Citováno 2017-05-23.
  12. ^ Alexandrov, George. "Několik tipů na výrobu FETching diskrétního zesilovače | Analogová zařízení". Analog.com. Citováno 2017-05-23.
  13. ^ „Průvodce používáním FETS pro aplikace senzorů, část 1“. Edn.com. 2015-06-17. Citováno 2017-05-23.
  14. ^ „Microsoft Word - DOE PROP.doc“ (PDF). Slac.stanford.edu. Citováno 2017-05-23.

externí odkazy