Nitrid hlinitý galium - Aluminium gallium nitride - Wikipedia

Nitrid hlinitý galium (AlGaN) je polovodičový materiál. Je to jakákoli slitina nitrid hliníku a nitrid gália.

The bandgap AlXGa1 − xN lze přizpůsobit od 3,4 eV (xAl = 0) do 6,2 eV (xAl = 1).[1]

AlGaN se používá k výrobě diody vyzařující světlo fungující modře až ultrafialový oblast, kde byly dosaženy vlnové délky až 250 nm (daleko UV), a některé zprávy až 222 nm.[2] Používá se také v modré barvě polovodičové lasery.

Používá se také v detektorech ultrafialový záření a v AlGaN / GaN Tranzistory s vysokou mobilitou elektronů.

AlGaN se často používá společně s nitrid gália nebo nitrid hliníku, formování heterojunkce.

AlGaN vrstvy se běžně pěstují na Nitrid galia, na safír nebo (111) Si, téměř vždy s dalšími vrstvami GaN.

Aspekty bezpečnosti a toxicity

Toxikologie AlGaN nebyla plně prozkoumána. Prach AlGaN dráždí pokožku, oči a plíce. Aspekty životního prostředí, zdraví a bezpečnosti zdrojů nitridu hlinitého a galia (např trimethylgallium a amoniak ) a studie monitorování průmyslové hygieny normy MOVPE zdroje byly nedávno uvedeny v přehledu.[3]

Reference

  1. ^ Růst a charakterizace nitridu hlinitého gália ...
  2. ^ Noguchi Norimichi; Hideki Hirayama; Tohru Yatabe; Norihiko Kamata (2009). „222 nm single-peaked deep-UV LED s tenkými vrstvami kvantové jamky AlGaN“. Fyzikální stav Solidní. doi:10.1002 / pssc.200880923.
  3. ^ Shenai-Khatkhate, D. V .; Goyette, R .; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. (2004). „Problémy životního prostředí, zdraví a bezpečnosti pro zdroje používané při růstu složených polovodičů v rámci MOVPE“. Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–821. doi:10.1016 / j.jcrysgro.2004.09.007.

externí odkazy